公開セミナー
ＭＥＭＳパークコンソーシアム 第14回公開セミナーのご案内
「多元研セミナー（最近の薄膜形成技術〜界面制御と低温プロセス〜について）」
開催のご案内
- 主催：
- 東北大学多元研
- 共催：
- MEMSパークコンソーシアム
- 開催日時：
- 平成19年1月11日(木） 13:40〜17:00
- 開催場所：
- 東北大学青葉記念館 7F 中研修室（702）
地図／http://www.anal.chem.tohoku.ac.jp/ionex/busmap.html - 参加費：
- 無料
- 申し込み：
- 別添申込書に「参加者氏名」「団体名」「所属部署」「郵便番号」「住所」「電話番号」」「FAX番号」「メールアドレス」を明記の上、MEMSパークコンソーシアム事務局 (memspc@icr-eq.co.jp、 FAX 022-279-8880）あて1月9日（火）までメール又はFAXでお申込下さい。
- プログラム：
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13:40-13:50
挨拶、趣旨説明 熊野勝文氏（東北大学多元物質研究所）
① 13:50−14:50
末光眞希氏（東北大学電気通信研究所 教授）
講演題目 「Si系薄膜堆積プロセスの表面化学──ガスソースMBEと大気圧プラズマCVD」 講演概要： Si薄膜堆積プロセスにおける対極的な二つの方法 ──ガスソースMBE法を用いたSi系単結晶薄膜（Si、SiGe、SiC）及び大気圧プラズマ法 を用いたSi多結晶薄膜（ガラス基板、プラスチック基板）── の表面化学について講演する。ガスソースMBE法では気相反応がなくラジカル発生が抑制されるのに対し、プラズマCVD法ではラジカルが膜堆積の主役を担う。水素が表面化学の重要な鍵を握る点が共通するが、前者では表面水素が結晶性を悪化させるのに対し、後者では反応系への水素混入と共に薄膜の結晶化率が増大する。
②15:00−17:00
松村英樹氏（北陸先端科学技術大学院大学 教授）
講演題目「低温薄膜形成プロセス；Cat-CVD (Hot-Wire CVD)法の現状と将来展望」 講演概要： 「Cat-CVD法は、原料ガスを加熱触媒体との接触反応により分解することで、プラズマを用いずに高品質な薄膜を低温で堆積する方法である。この方法により、緻密でガスバリヤ性に優れた膜ができるため、その応用分野は、電子製品から有機基材、機械部品のコート膜形成へと拡がりつつある。また、この方法により、超撥水テフロン膜をはじめ各種有機膜の合成もされるようになってきている。本講演では、このCat-CVD法の基礎原理と作られた膜に数々の特長の現れる理由を御説明し、Cat-CVD膜の応用の現状、および将来の予想される展望について御紹介する。」