MEMSパークコンソーシアム事務局
東北大学 西澤潤一記念研究センター内
〒980-0845
仙台市青葉区荒巻字青葉519-1176
TEL: 022-305-2351
FAX: 022-305-2352
イベント情報
− MNOIC実習セミナー −
「X-CTを用いたマイクロナノデバイスの3次元構造の計測・評価、および三次元データ再構成の実習」開催のご案内
- 概要：
- 一般財団法人マイクロマシンセンター・MEMS協議会では、MEMS・マイクノナノ領域における産業推進の一環として独立行政法人・産業技術総合研究所・集積マイクロシステム研究センターの研究施設を用いた研究支援を行うMNOIC事業を実施しています。MNOIC事業も支援サービスを開始して1年強を迎え、多数の装置を用いた研究支援が可能になって来ましたので、今年度からMNOICで利用可能な最先端装置を用いた「実習形式のセミナー」を開催することに致しました。
今回はその第一弾として、MEMSの微細3次元内部構造を観察して、三次元データを取得可能なX線CT（コンピュータトモグラフィー）装置を用いた実習を計画致しました。この機会に世界最先端の装置を体験して頂き、更に多数のユーザの皆様にMNOICを利用して頂くことに期待しております。
- 主催：
- 一般財団法人マイクロマシンセンター・MEMS協議会 MNOIC事業
- 後援：
- 独立行政法人・産業技術総合研究所・集積マイクロシシテム研究センター
- 日時：
- 平成25年1月22日（火）14:00開始、23日（水）16:30終了予定
- 場所：
- 〒305-8564 茨城県つくば市並木1-2-1
産業技術総合研究所 東事業所：集積マイクロシステム研究センター内 NMEMSイノベーション棟 一般財団法人マイクロマシンセンター、MNOIC開発センター
http://mnoic.la.coocan.jp/access/index.html（MNOIC開発センター＠つくば）
- 学習・実習内容：
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- X-CT（米国Xradia社産業用X線CT"VersaXRM-500"）の原理・利用方法を販売元であるキヤノンマーケティングジャパン（株）からご紹介
- 世界最先端の評価および三次元再構成による解析事例を東京大学・大竹准教授からご講演
- X-CTの操作方法の実習（クリーンルームにて実施）
- X-CTを用いたTSV（シリコン貫通配線基板）サンプルの計測実習
- 測定データの解析、三次元データの再構成の実習（予め取得したデータを使った解析）
費用：研究支援料および資料代（ホテル代、昼食代は含みません）
- 一般（企業等）30,000円（消費税込）
- アカデミア（大学、公的研究機関）15,000円（消費税込）
- 学生10,000円（消費税込）
- 支払方法：
- お申込み確認後受付メールをお送りします。ご住所に請求書と受講票をご郵送しますので、当日は、受講票をご持参ください。
お振込みは平成25年2月28日までにお願いいたします。また、お振込み期限を過ぎる場合には、お振込み予定日をメールまたはFAXにてお知らせください。
- 申込方法：
- 以下を記入の上、メールにてお申込みください。
郵便番号、ご住所、法人名、ご所属、ご氏名、連絡先（電話）、メールアドレス、請求書の宛先・宛名（ご住所と異なる場合）、その他ご連絡内容
- 申込先：
- 〒101-0026 東京都千代田区神田佐久間河岸67 MBR99ビル6F
TEL：03-5835-1870 FAX：03-5835-1873 E-mail：t_mihara@mmc.or.jp
一般財団法人 マイクロマシンセンター MEMS協議会事務局 MNOIC研究企画部
三原孝士 宛
※恐れ入りますが、宿泊場所等は各自でご予約ください。
- 最小実施人数：
- 1名
- 実習プログラム：
- 平成25年1月22日（火） 1日目
14:00集合（開発センター会議室）：入所方法、集合場所等は別途ご案内致します。
１）14:00-14:10 開会の挨拶（人材育成委員会・前田龍太郎委員長）
２）14:10-14:30 オリエンテーリングとMNOICの概要説明（担当 三原孝士）
３）14:30-15:30 X-CTの原理と装置の開設（キヤノンマーケティングジャパン（株） 青木優様）
４）15:30-16:30 X-CTを用いたMEMS構造解析の例（東京大学工学系研究科 精密工学専攻 准教授 大竹豊先生）
５）16:30-17:00 MNOICの見学（三原孝士）
６）17:00-18:00 簡単な懇親会（参加者＋関係者：ビールとおつまみ程度）
平成25年1月23日（水） ２日目
１）9:00 集合（開発センター会議室）
２）9:00-10:00 装置実習の概要説明、サンプルの説明（上野昭久、三原孝士）
３）10:00-12:00 装置実習 装置説明 2D、3D測定実習。（上野昭久、三原孝士）
４）13:00-14:00 装置実習 再構成実習（上野昭久）
５）14:00-16:00 測定結果の解釈、データ解析（上野昭久、三原孝士）
６）16:00-16:30 纏めと反省会（三原孝士、上野昭久、原田武）
７）16:30 終了予定
- 装置の概要：
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- 実習に使用するサンプル：
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- 貫通配線基板（TSV：Through Silicon Via）ウェハー
- Viaの穴径 約50マイクロメータ
- 貫通穴の長さ（ウェハーの厚さ） 400マイクロメータ
- 配線材料 銅